简 介: 测了了ITR8307的基本特性,包括它的静态、动态特性等。并通过测量独轮车惯量轮转速展示了它的应用。
关键词: ITR8307,反射式光电管
IGBT的损耗与结温计算
与大多数功率半导体相比,IGBT 通常需要更复杂的一组计算来确定芯片温度。这是因为大多数 IGBT 都采用一体式封装,同一封装中同时包含 IGBT 和二极管芯片。为了知道每个芯片的温度,有必要知道每个芯片的功耗、频率、θ 和交互作用系数。还需要知道每个器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
这里将主要介绍一下:如何测量功率计算二极管和IGBT芯片的温升。
一、损耗组成部分
为什么串阻阻值通常是22到33欧姆
在设计上使用串阻的场景大家都见得多了,基本上很多1GHz以下的单端信号都有可能用到。从信号类型来看,像低速点的I2C信号、local bus信号到高一点的flash信号、以太网RGMII信号,甚至再高一点的DDR1到DDR2的数据信号,都能看到串阻的身影。
以RGMII为例,单根信号的速率大概是250Mbps,是非常典型的需要加串阻的应用场景。那各位硬件工程师或者设计工程师,你们印象中的串阻的阻值一般是多少呢,是不是就是22欧姆或者33欧姆呢?不知道大家有没有想过为什么基本就是这两个值,或者基本就是在22到33欧姆这个范围呢?这里面到底隐藏着什么理论,Chris将给大家仔细说说!
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